Интегральная микросхема Артикул HGTG20N100D2 от производителя HARRIS SEMI
Артикул:
HGTG20N100D2
Изготовитель:
HARRIS SEMI
✅ Под заказ
ЗАКАЗАТЬ
ЗАКАЗАТЬ
Технические характеристики HGTG20N100D2
Раздел
Интегральные микросхемы
Подраздел
HARRIS SEMI
Вес
0
-
HGTG20N100D2
-
Снято с производства! Напишите нам — мы найдем для вас остатки по всему миру.
-
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
-
34A I(C)
-
1000V V(BR)CES
-
N-CHANNEL
-
TO-247
-
Гарантия производителя может не распространятся – можем предоставить расширенную гарантию от нашей фирмы
В связи с текущей ситуацией и введенными санкциями, мы предоставляем всю информацию о
стоимости наших товаров только по запросу.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы подготовим индивидуальное коммерческое предложение,
учитывающее все ваши потребности и спецификации заказа.
Не нашли продукцию?
Если вы не нашли продукцию бренда HARRIS SEMI на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
Заказать товар
Заказать товар
Особенности
IGBT транзистор для высоковольтных приложений
Высокий ток коллектора: 34A
Высокое напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1000V
N-CHANNEL тип канала
Корпус TO-247 для эффективного отвода тепла
Применение
Ремонт и обслуживание промышленных электроприводов
Замена IGBT в источниках бесперебойного питания (UPS)
Использование в сварочном оборудовании
Применение в инверторах различного назначения
Преимущества
Надежная работа в высоковольтном оборудовании
Возможность замены вышедших из строя компонентов в старом оборудовании
Расширенная гарантия от нашей фирмы
Эффективный отвод тепла благодаря корпусу TO-247
Интегральная микросхема Артикул HGTG20N100D2 от производителя HARRIS SEMI
Интегральная микросхема HGTG20N100D2 от HARRIS SEMI - это INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT), предназначенный для использования в высоковольтном и сильноточном оборудовании. Снята с производства, но мы поможем найти остатки по всему миру! Данная микросхема обладает следующими характеристиками: ток коллектора (I(C)) 34A и напряжение пробоя коллектор-эмиттер (V(BR)CES) 1000V. Тип канала - N-CHANNEL. Корпус TO-247 обеспечивает надежное крепление и эффективный отвод тепла. Несмотря на то, что гарантия производителя может не распространяться, мы предлагаем расширенную гарантию от нашей фирмы, чтобы обеспечить вашу уверенность в качестве и надежности приобретаемой запчасти. Идеальное решение для ремонта и поддержания работоспособности старого оборудования, где требуется замена вышедшего из строя IGBT транзистора.
HARRIS SEMI
HARRIS SEMI – компания, производящая электронные компоненты. В линейке продукции представлены интегральные микросхемы разных типов, а также мостовые выпрямители. HARRIS SEMI предлагает компоненты для применения в различном электронном оборудовании.
Подробнее
Не нашли продукцию?
Если вы не нашли продукцию бренда HARRIS SEMI на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
Заказать товар
Заказать товар
