Технические характеристики WNB200FET
-
Соответствие мощности: Суммарное рассеивание в цепи не должно превышать 1 Вт.
-
Тип сигнала: Оптимален для высокочастотных и импульсных схем за счет отсутствия индуктивной составляющей.
-
Монтаж: Сквозной (THT) на печатную плату; необходимо учитывать шаг выводов.
-
Температурный режим: Требуется проверка графика снижения мощности (derating curve) при работе в закрытых корпусах.
-
Ограничение: Не предназначен для работы в условиях прямого воздействия агрессивных химических сред без дополнительной защиты.
-
Сертификация: RoHS-совместимое исполнение (суффикс E).
Если вы не нашли продукцию бренда OHMITE на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
Почему стоит выбрать именно WNB200FET для импульсных схем?
Благодаря безиндуктивной технологии намотки (Non-Inductive), резистор минимизирует искажения фронтов импульсов и не вносит паразитных помех в систему.
Какую роль играет эпоксидное формование корпуса?
Эпоксидный компаунд обеспечивает стабильные диэлектрические свойства и защищает проволочный элемент от механических повреждений и влаги.
Как расшифровать допуск в модели WNB200FET?
Символ 'F' в маркировке указывает на прецизионный допуск ±1% от номинального значения сопротивления.
Подробнее
Если вы не нашли продукцию бренда OHMITE на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.