Технические характеристики WNB470FET
-
Проверка соответствия мощности 1 Вт условиям теплоотвода на плате
-
Необходимость минимизации паразитной индуктивности в сигнальной цепи
-
Монтаж: Сквозной (THT), требуется подготовка отверстий под медные выводы
-
Совместимость с процессами пайки, стандартными для медных компонентов
-
Ограничение: Не рекомендуется превышение рабочих температур без учета графика снижения мощности (Derating Curve)
-
Ограничение: Эпоксидная инкапсуляция чувствительна к сильным механическим ударам
-
Соответствие RoHS (суффикс E)
Если вы не нашли продукцию бренда OHMITE на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
В чем преимущество безиндуктивного исполнения (WN)?
Специальная намотка минимизирует собственную индуктивность, предотвращая искажения сигнала в ВЧ-цепях и импульсных схемах.
Можно ли заменить WNB470FET на обычный проволочный резистор 1 Вт 470 Ом?
Только в цепях постоянного тока; в импульсных или высокочастотных цепях замена на индуктивный резистор приведет к некорректной работе схемы.
Какова стойкость корпуса к внешним факторам?
Эпоксидный компаунд защищает от влаги и пыли, однако для экстремальных сред требуется проверка IP-рейтинга всего устройства.
Подробнее
Если вы не нашли продукцию бренда OHMITE на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.