Технические характеристики MUBW15-12A7
-
Максимальное напряжение К-Э (Vces): 1200 В.
-
Номинальный ток (Ic) при Tc=80°C: 15 А (пиковый до 25 А при 25°C).
-
Тип транзисторов: NPT IGBT (Non-Punch Through) с высокой стойкостью к КЗ.
-
Интерфейс монтажа: Сквозной монтаж в отверстия PCB (Through-hole pins).
-
Диапазон рабочих температур: до +150°C (кристалл), со встроенным NTC-сенсором.
Если вы не нашли продукцию бренда IXYS на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
Какое преимущество дает использование встроенного датчика температуры?
Интегрированный NTC-термистор расположен в непосредственной близости от IGBT-кристаллов, что позволяет системе защиты реагировать на перегрев значительно быстрее, чем при использовании внешних датчиков на радиаторе.
Как технология NPT влияет на срок службы устройства?
Технология NPT обеспечивает более высокую прочность кристалла при возникновении коротких замыканий и равномерное распределение тока между ячейками, что снижает деградацию полупроводника при цикличных нагрузках.
Требуется ли специальный драйвер для управления затвором этого модуля?
Для работы необходим стандартный драйвер затвора IGBT с напряжением управления +15В. Благодаря низкой емкости затвора модуль совместим с большинством современных драйверов среднего тока.
Подробнее
Если вы не нашли продукцию бренда IXYS на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.