Технические характеристики MUBW50-12A8
-
Напряжение Vces: 1200В для инверторной секции, до 1600В для выпрямительного моста.
-
Токовая нагрузка: Номинальный ток 85А (rectifier) / 50А (IGBT при Tc=80°C).
-
Тип монтажа: Пайка в отверстия (Through-Hole) на печатную плату с последующим креплением к радиатору.
-
Интерфейс датчика: Аналоговый выход NTC-термистора (R25 = 5 кОм).
-
Температурный диапазон: Рабочая температура перехода Tj до +150°C.
-
Требования к охлаждению: Обязательное использование термопасты и прижимного радиатора с плоскостностью поверхности не хуже 0.05 мм.
Если вы не нашли продукцию бренда IXYS на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.
Какое напряжение изоляции обеспечивает корпус данного модуля?
Корпус MUBW50-12A8 обеспечивает гальваническую изоляцию между внутренними цепями и медным основанием (подложкой) на уровне 2500-3000 В переменного тока (AC), что соответствует промышленным стандартам безопасности.
Требуется ли обслуживание модуля в процессе эксплуатации?
Как твердотельный компонент модуль не требует обслуживания. Однако при регламентных работах рекомендуется проверять состояние термоинтерфейса (термопасты) и затяжку крепежных винтов к радиатору, так как перегрев является основной причиной деградации полупроводников.
В чем преимущество NPT IGBT перед более современными технологиями Trench в данной модели?
Технология NPT (Non-Punch-Through) в серии MUBW выбрана из-за её исключительной надежности в тяжелых промышленных условиях. Она обеспечивает более высокую стойкость к коротким замыканиям (Short Circuit Ruggedness) и меньшую зависимость параметров от температуры по сравнению со стандартными Trench-структурами.
Подробнее
Если вы не нашли продукцию бренда IXYS на нашем сайте, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы приложим все усилия, чтобы найти и предложить вам необходимый товар в кратчайшие сроки.